頂立科技立式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）
概述：立式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）可用于以碳氫氣體（如C3H8等）為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理
本信息已過期，發(fā)布者可在"已發(fā)商機"里點擊"重發(fā)"。
立式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）技術(shù)特征
[本信息來自于今日推薦網(wǎng)]
根據(jù)爐膛尺寸與結(jié)構(gòu)設(shè)置溫區(qū)，溫度均勻性好;
采用特殊結(jié)構(gòu)沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
對炭沉積過程中產(chǎn)生的焦油、固體粉塵、有機氣體等能進行有效的處理
立式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）產(chǎn)品規(guī)格
| 參數(shù)\型號 | VCVD-0305-C | VCVD-0608-C | VCVD-0812-C | VCVD-1015-C | VCVD-1120-C | VCVD-1520-C | HCVD-151530-C |
| 工作區(qū)尺寸D×H（mm） | Φ300×500 | Φ600×800 | Φ800×1200 | Φ1000×1500 | Φ1500×2000 | Φ1500×2000 | Φ2600×3200 |
| 最高溫度（℃） | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| 溫度均勻性（℃） | ±5 | ±5 | ±7.5 | ±7.5 | ±10 | ±10 | ±15 |
| 極限真空度（Pa） | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| 壓升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調(diào)整，不作為驗收依據(jù)，具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準。
[本信息來自于今日推薦網(wǎng)]
- hndlkj發(fā)布的信息
- 頂立科技高真空燒結(jié)爐,燒結(jié)爐廠家,真空爐
- 高真空燒結(jié)爐主要用于鎢合金、磁性材料、高比重合金、鉬合金和硬質(zhì)合金等制品的燒結(jié)及陶瓷氧化鋯發(fā)黑等。...
- 頂立科技壓力熔滲爐,燒結(jié)爐,壓力爐
- 壓力熔滲爐（1MPa，2MPa）產(chǎn)品規(guī)格 參數(shù)/型號 PSF-040408 PSF-050513 工作區(qū)尺寸 W×H×L（mm） 400×400×8...
- 頂立科技臥式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）
- 化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）可用于以碳氫氣體（如C3H8等）為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理。...
- 頂立科技臥式化學(xué)氣相沉積爐（碳化硅）
- 該化學(xué)氣相沉積爐（碳化硅）可用于以硅烷為氣源的材料表面抗氧化涂層、基體改性等。...
- 頂立科技立式化學(xué)氣相沉積爐（碳化硅）
- 立式化學(xué)氣相沉積爐可用于以硅烷為氣源的材料表面抗氧化涂層、基體改性等。...
- 頂立科技臥式真空碳化爐,真空爐,碳化爐
- 真空碳化爐主要用于炭/炭復(fù)合材料、碳纖維保溫材料、高導(dǎo)熱石墨膜的高溫碳化處理。...
鑄造及熱處理設(shè)備重發(fā)信息
