桌面型離子濺射 磁控濺射 SEM掃描電鏡 電極制樣 真空鍍膜機儀
概述：
儀器簡介：
HM-ETD-2000C 濺射儀是依據(jù)二極(DC)直流濺射原理設計而成的，分為離子濺射和磁控濺射兩種。離子濺射離子密度低，鍍速較慢，能量分散，適合SEM樣品噴金，鍍鉑；磁控濺射離子密度高，鍍
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儀器簡介：
HM-ETD-2000C 濺射儀是依據(jù)二極(DC)直流濺射原理設計而成的，分為離子濺射和磁控濺射兩種。離子濺射離子密度低，鍍速較慢，能量分散，適合SEM樣品噴金，鍍鉑；磁控濺射離子密度高，鍍速較快，能量集中，適合電極樣品的制備，如金、鉑、銀、銅、鈦等。HM-ETD-2000C濺射儀簡單、可靠、運行成本低。滿足電鏡實驗室的掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備和各種導體材料實驗電極制作。
技術參數(shù)：
配置參數(shù)如下：
- 儀器尺寸 ： 400mm×300mm×400mm（L×W×H）
- 真空樣品室： 硼硅酸鹽玻璃 160mm×110mm（D×H）
- 靶（上部電極）： 50mm×0.1mm（D×H）
- 磁控靶（上部電極）： 50mm×0.1mm（D×H）
- 樣品臺： 50mm (D)
- 操作真空： 4×10-1mbar至2×10-2mbar
- 工作電壓： 0-1600V (DC)可調(diào)
- 濺射電流： 0-50mA
- 濺射定時： 1-9999S
- 真空泵： 4升兩級機械旋轉(zhuǎn)泵（極限真空2×10-2mbar）
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