IGBT
所有分類下結果宏微IGBT模塊 MMG300D060B6N MMG200S060B6N MMG100S060B6N
[中介]MMG100S060B6N 2個單元，100A/600V ,34mm寬
MMG150S060B6N 2個單元，150A/600V ,34mm寬
MMG200S060B6N 2個單元，200A/600V ,34mm寬
MMG200D060B6EN 2個單元，200A/600V ,62
[全國 整流器/整流設備] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM1000DUC-34SA CM1400DUC-24S CM900DUC-24S
[中介]第6代CSTBTTM硅片技術帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
富士IGBT模塊2MBI150U4A-120 2MBI150U4H-120 6MBI150U4B-170
[中介]6MBI100U4B-170 6單元，100A/1700V
6MBI150U4B-170 6單元，150A/1700V
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
富士IGBT模塊2MBI200S-120 2MBI100PC-140 2MBI300P-140
[中介]1MBI300S-120 1單元，300A/1200V
1MBI400S-120 1單元，400A/1200V
2MBI75P-140 2單元，75A/1400V
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技
[中介]采用CSTBTTM硅片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區，杰出的短路魯棒性 最優的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環能力（DTc）內部硅片分布均勻，Rth(j-
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